ASML อ้างพัฒนาแหล่งกำเนิดแสง EUV เพิ่มประสิทธิภาพการผลิต

ASML บริษัทผู้ผลิตเครื่องจักรที่ใช้ในการผลิตชิปให้ผู้เล่นหลักอย่าง TSMC และ Intel อ้างว่าได้พัฒนาเทคโนโลยีแหล่งกำเนิดแสง EUV ใหม่ ที่จะเพิ่มพลังจากประมาณ 600 W เป็น 1,000 W ซึ่งหมายถึงความสามารถในการประมวลผลแผ่น waferได้เร็วขึ้นและส่งผลให้กำลังผลิตชิปโดยรวมเพิ่มขึ้นราว 50% ตามที่บริษัทระบุ

ทำไมการสร้างแสง EUV ถึงยาก

การผลิตชิปสมัยใหม่ต้องอาศัยการฉายแสงผ่านหน้ากากลงบนแผ่น wafer เพื่อกัดลายทรานซิสเตอร์ รายละเอียดที่เล็กลงต้องใช้ความยาวคลื่นสั้นขึ้น นั่นคือเหตุผลที่ ASML ใช้แสง EUV แต่การสร้างและควบคุมปริมาณแสง EUV ในระดับสูงเป็นเรื่องยากมาก เทคโนโลยีของ ASML ตอนนี้ใช้หยดดีบุกหลอมลอยตัวที่ถูกยิงด้วยเลเซอร์พลังสูงซ้ำๆ ซึ่งระบบนี้ซับซ้อนจนคู่แข่งยากจะเข้ามาแทนที่

ตัวเลขสำคัญที่เปลี่ยนไป

ตามรายงานของ ASML การเพิ่มพลังจาก ~600 W เป็น 1,000 W จะช่วยให้เครื่องสามารถประมวลผลได้เพิ่มเป็น 330 wafer ต่อชั่วโมง จากเดิมประมาณ 220 wafer ต่อชั่วโมง ซึ่งเทียบเป็นการเพิ่มกำลังผลิตชิปได้ราว 50% แม้ว่าคุณภาพหรืออัตรา yield ต่อแผ่น wafer จะไม่ดีขึ้น แต่จำนวนชิปที่ผลิตได้ต่อเวลาเพิ่มขึ้น

ผลกระทบต่ออุตสาหกรรมและกรอบเวลา

ข่าวนี้ดีสำหรับวงการที่กำลังเผชิญปัญหาคอขวดของการผลิต แต่ ASML ระบุว่าเป้าหมายการทำให้เครื่องทำงานที่ 330 wafer ต่อชั่วโมงคาดว่าจะเป็นไปได้ภายในปี 2030 นั่นหมายความว่าผลกระทบเชิงปริมาณต่อการจัดหาและราคาอุปกรณ์ยังต้องใช้เวลาหลายปีจึงจะเห็นเป็นรูปธรรม

สรุปคือเทคโนโลยีนี้อาจช่วยเพิ่มกำลังการผลิตชิปแบบก้าวใหญ่ แต่ต้องรอกว่าจะนำมาใช้อย่างแพร่หลายได้ และการเปลี่ยนแปลงเรื่องราคาในตลาดคอมพิวเตอร์หรือชิ้นส่วนอาจยังไม่เห็นเร็วๆ นี้